沈阳功率半导体项目招商引资方案
车规级 IGBT 设计需保证开关损耗、短路耐量和导通压降三者平衡， 参数优化较为复杂。在芯片设计环节，终端设计实现小尺寸满足高耐 压的前提下需保证其高可靠性，元胞设计实现高电流密度的同时需保 证较宽泛的安全工作区。在晶圆制造环节，芯片越薄，电流通过路径 越短，芯片上的能量损耗越低，整车续航能力越高，但薄芯片极易破 碎，工艺加工难度较大。在模块环节，高可靠性设计和封装工艺控制 是技术难点。高可靠性设计需要考虑材料匹配、高效散热、低寄生参 数、高集成度。封装工艺控制包括低空洞率焊接/烧结、高可靠互连、 ESD 防护、老化筛选等。因此，目前我国车规级 IGBT 特别是电机驱动 控制系统中的 IGBT 模块依旧主要依赖进口，国产厂商份额较低，未来 市场潜力巨大。
根据谨慎财务估算，项目总投资 37363.72 万元，其中：建设投资 31794.46 万元，占项目总投资的 85.09%；建设期利息 371.63 万元， 占项目总投资的 0.99%；流动资金 5197.63 万元，占项目总投资的 13.91%。
项目正常运营每年营业收入 63800.00 万元，综合总成本费用 53057.64 万元，净利润 7840.84 万元，财务内部收益率 15.51%，财务 净现值 742.60 万元，全部投资回收期 6.20 年。本期项目具有较强的 财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。
由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其 产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具 有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。
本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息， 并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本 情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。
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